LSP025 · VCSEL và mảng phát xạ · Tấm bán dẫn và bao bì
Có thể tái sử dụng một phần

Điểm phát xạ mật độ thấp thiếu sàng lọc ứng viên

Đối với các chip trần VCSEL, việc so sánh mảng điểm sáng phân tách được sử dụng làm lộ trình quan sát và số điểm có thể phân tách cũng như vị trí lỗi được lên kế hoạch sẽ được đưa ra đầu ra. Trang này dùng để đánh giá dự án và không có nghĩa là quá trình phát triển đã được hoàn thành hoặc đã được chấp nhận tại chỗ.

Tóm tắt phán quyết dự án

Sản phẩm/Thiết bịKhuôn trần VCSEL
Đo lộ trìnhARRAY·So sánh mảng điểm riêng biệt
Chấm điểm năng lựcCó thể tái sử dụng một phần
Trạng thái xác minhViệc chấp nhận miền máy/sản phẩm thực tế của kịch bản này chưa được thực hiện
Tính chất cảnh:Các kịch bản ứng dụng tiềm năng tương tự cho các điểm laze. Kịch bản ứng dụng tiềm năng vẫn chưa được phát triển thành hệ thống sản phẩm hoàn chỉnh; việc chấp nhận miền máy/sản phẩm thực tế của kịch bản này chưa được thực hiện. Số lượng chấp nhận sản phẩm/miền sản phẩm thực tế trong thống kê danh mục là 0.

Nhiệm vụ kinh doanh và sản lượng dự kiến

đối tượng mục tiêu
Khuôn VCSEL: so sánh mảng điểm sáng tách biệt
đầu ra giả
Các điểm và vị trí khuyết tật có thể tháo rời
Điều kiện áp dụng
Mảng mật độ cao yêu cầu phân tách điểm chồng chéo mới
sự ưu tiên
Phần mở rộng chung. Việc xác minh cần phải được hoàn thành theo các điều kiện quang học, hiệu chuẩn và mẫu được liệt kê.

Đầu vào hình ảnh và định tuyến thuật toán

Điều kiện hình ảnh và thiết bị

Nhiều điểm sáng riêng biệt và có thể đánh số, mặt phẳng thu và trường nhìn cố định. Máy dò phản ứng cận hồng ngoại, kích hoạt đồng bộ và hình ảnh điểm trường gần/xa có thể tách rời

ARRAY·So sánh mảng điểm riêng biệt

Nhiều điểm sáng riêng biệt và có thể đánh số, mặt phẳng thu và trường nhìn cố định

  • A102Trích xuất ứng cử viên miền được kết nối nhiều điểm laser
  • A105Điểm laser mô men thứ hai và đường kính trục chính
  • A107Chẩn đoán chất lượng điểm laser và khả năng sử dụng
  • A108Kết hợp một-một các bit tham chiếu điểm đa tia laser
  • A112Độ lặp lại hai chiều của điểm laser và hình elip bao phủ

Bằng chứng thuật toán hiện có:A101–A112 chỉ hoàn thiện điểm tổng hợp phân tích và xác minh hình học có kiểm soát; xem laser_spot_benchmark.json

Năng lực hiện tại và khả năng cần bổ sung

Có thể tái sử dụng một phần

Yêu cầu hiệu chuẩn, đồng bộ hóa hoặc tích hợp

Mô-đun thống kê thời gian hoặc giao diện người dùng phát hiện điểm sáng có thể được sử dụng lại, nhưng dự án vẫn cần bổ sung hiệu chuẩn hình học, đồng bộ hóa thời gian, bù chuyển động hoặc tích hợp hệ thống thiết bị.

Những khoảng trống trong cảnh này:Cần phải đánh số thứ tự điểm, ROI cục bộ, xử lý nhiễu xuyên âm và tắc nghẽn; A108 chỉ khớp theo khoảng cách trong cùng một hệ tọa độ. Mảng mật độ cao yêu cầu phân tách điểm chồng chéo mới. Số lượng điểm sáng và số lượng đơn vị phát xạ vật lý không nhất thiết phải tương ứng với nhau.

Khoảng trống ở cấp độ tuyến đường:Cần đánh số thứ tự điểm, ROI cục bộ, xử lý nhiễu xuyên âm và tắc nghẽn; A108 chỉ khớp theo khoảng cách trong cùng hệ tọa độ

"Có thể tái sử dụng một phần" chỉ mô tả khối lượng phát triển tương đối và không cấu thành cam kết về độ chính xác, nhịp độ, độ ổn định hoặc thời gian phân phối.

Phương pháp xác minh và điều kiện tiên quyết chấp nhận

Xác minh số điểm, tỷ lệ khớp và sự không khớp bằng cách sử dụng dữ liệu mạng và lỗi nhân tạo/chồng chéo/xáo trộn đã biết. Kiểm tra chéo bằng ảnh vi mô, máy đo bức xạ độc lập và mảng thiết kế

Mặt hàng chấp nhậnBằng chứng cần thiết để xác nhận dự ánTình trạng hiện tại
Đầu vào và mẫuKhung gốc của thiết bị thực, mẫu bình thường/bất thường, điều kiện phơi sáng và đường dẫn ánh sáng, nhóm mẫu và đặt sang một bênChưa được cung cấp, đang chờ đầu vào của dự án
Độ lớn và lỗiGiá trị tham chiếu độc lập, bản ghi hiệu chuẩn, cỡ nòng thống kê lỗi và ngưỡng xác nhận lẫn nhauChưa được xác minh
Ngoại lệ và ranh giớiDự kiến ​​xử lý các phát hiện bị bỏ sót, phát hiện sai, phơi sáng quá mức, tắc nghẽn, phản chiếu, ngoài tầm nhìn và các bất thường trong giao tiếpĐể được xác định
Tích hợp hệ thốngGiao diện, đồng bộ hóa thời gian, nền tảng triển khai, nhịp độ, nhật ký, phiên bản và bản ghi chạy liên tụcKhông tích hợp

Nguồn bằng chứng và ranh giới trích dẫn

Nguồn hỗ trợ các nguyên tắc đo lường hoặc các ứng dụng tương tự; sự kết hợp mô-đun, thiết bị và phương pháp chấp nhận trong trường hợp này là nguồn gốc kỹ thuật và việc xác minh sản phẩm chưa được hoàn thành.

LS-S11 · Nhà máy gốc/cơ quan nghiên cứu khoa học/giấy gốc

Các phép đo Ophir VCSEL

Các hạng mục đo lường hình thái chùm tia và mảng phát xạ VCSEL

Ngày xác minh: 24-10-2026

Xem thông tin công khai ban đầu →
LS-S12 · Nhà máy gốc/cơ quan nghiên cứu khoa học/giấy gốc

Chùm tia phân kỳ góc rộng Ophir

Điều kiện hình ảnh để thu nhận trường xa và chùm tia góc rộng

Ngày xác minh: 24-10-2026

Xem thông tin công khai ban đầu →
Phạm vi sử dụng nguồn:Thông tin công khai được sử dụng để hỗ trợ nguyên tắc đo lường hoặc sự tồn tại của các ứng dụng tương tự và không chứng minh rằng kịch bản này đã được Jishi Technology phát triển, triển khai hoặc chấp nhận.
Tư vấn dự án

Gửi mẫu và điều kiện thiết bị để làm rõ phạm vi phát triển và giao hàng

Điểm phát xạ mật độ thấp thiếu sàng lọc ứng viên

Vui lòng mô tả đối tượng nhiệm vụ, hình ảnh hoặc video gốc, chỉ báo mục tiêu, nền tảng thiết bị, giao diện và tình huống mẫu.

Điện thoại: 13910119357
xuzhiyang0928@gmail.com

Thông tin điền vào sẽ chỉ được sử dụng để đánh giá và liên hệ cho dự án này. Vui lòng không gửi thông tin cá nhân trái phép hoặc dữ liệu nhạy cảm.